賽晶攜最新自主研發IGBT模塊亮相PSiC2022

7月14日，PSiC2022第五屆中國國際新能源汽車功率半導體市場與關鍵技術論壇在蕪湖舉辦。本次論壇由PSiC2022組委會、亞洲電動汽車協會、蕪湖高新技術產業開發區管委會、蕪湖新能源汽車產業基地、蕪湖新能源汽車產業協會、IEEE工業電子協會（IES）中國區、中國電力電子產業網聯合主辦。此次論壇以“融合創芯·助力雙碳”為主題，聚焦基礎芯片、封裝材料、設備、器件、電驅動、整車產業鏈資源。共有近400名整車、電驅動、功率半導體等產業鏈上下游專業人士參加論壇。

論壇上，賽晶科技瑞士子公司SwissSEM首席運營官Sven先生，通過視頻的方式發表主題報告“工業級和車規級IGBT的創新與突破”。介紹了賽晶i20 IGBT芯片組、ED封裝IGBT模塊的優勢及特點，并首次發布了面向新能源汽車領域的HEEV封裝SiC模塊，以及面向新能源發電和工業電控領域的ST封裝模塊。這是繼ED封裝IGBT模塊之后的又一力作，也是賽晶在工業級與車規級IGBT領域的又一次創新與突破。

i20 IGBT芯片，采用FS-TRENCH結構、多項國際前沿優化設計，具有低阻抗短溝道、先進的3D結構、N-增強層，使用TAIKO技術超薄基底、優化的P+設計，以及窄臺面精細圖案、激光退火處理的場截止層和陽極等優勢，多項國際前沿優化設計帶來超低通導損耗和判斷損耗。

ED封裝IGBT模塊，采用賽晶自研i20芯片組，不僅性能卓越，還具有出色的魯棒性。短路耐受時間達15微秒，在2倍甚至3倍額定電流下，該模塊仍可安全關斷。從而實現低損耗、大電流（可達2×750A），比最常用的i4系列同類模塊性能超出10%以上，實現超越i4，比肩i7的卓越性能。

HEEV封裝SiC模塊，專為電動汽車開發的高效(High Efficient)碳化硅SiC模塊。采用賽晶自研i20芯片組，滿足高功率、輕量化和高可靠性的需求，采用轉移模塑、燒結、超聲波焊接等多種先進的封裝工藝，無基底直接冷卻(已申請專利)、鉗橋式結構等獨特的創新設計；模塊更小的體積（體積降低50%）、更低的損耗（連接電阻降低50%）、更高的可靠性（雜散電感降低40%），擁有高可靠性、良好的可控性、相同的額定功率。

ST封裝IGBT模塊，新能源發電、工業電控廣泛使用的標準模塊外型(即62mm模塊) 。采用賽晶自研i20芯片組，模塊有源面積利用率顯著提升，實現同類競品中最低的熱阻、內部阻抗、雜散電感；不僅如此，還采用先進工藝和優質材料，以保證高性能、高可靠性和長壽命，以及自主創新的內部封裝技術及兼容市場主流標準的外形，創新的內部優化布局及三維信號傳輸設計，全面超越同類產品的性能表現。

論壇同期展覽，賽晶展出i20 IGBT芯片、d20 FRD芯片、ED封裝模塊、ST封裝模塊以及EV封裝模塊樣品，引發與會專業人士廣泛關注，現場火爆程度超乎預期。許多與會專業人士紛紛到賽晶展位參觀和咨詢，與現場技術、銷售人員進行了深入的交流，并對賽晶將推出的新品抱有極大期許。

賽晶首次公開了自主研發的面向新能源汽車領域的HEEV封裝SiC模塊，以及面向新能源發電和工業電控領域的ST封裝IGBT模塊，同時帶來了賽晶IGBT最新前沿技術。憑借創新的產品理念、國際一流的研發實力、豐富的行業經驗，以及國際頂級的技術專家團隊，賽晶科技及其子公司賽晶半導體在打造自主技術高端 IGBT產品的路上穩步向前，攻克了一個又一個的難題，打破IGBT 壁壘，始終致力于為電動汽車、新能源發電、工業電控等市場開發出具有國際一流品質的IGBT芯片和模塊產品。